Компания Samsung Electronics, лидирующая на рынке памяти DRAM, объявила о разработке третьего поколения 10-нанометрового техпроцесса, который известен под обозначением 1z нм. Первым в отрасли южнокорейский производитель представил память DRAM DDR4 плотностью 8 Гбит, изготавливаемую по нормам 1z нм. Отметим, что это произошло всего через 16 месяцев с момента начала массового производства кристаллов DDR4 такой же плотности по нормам 1y нм, и производитель смог обойтись без перехода на использование литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), снова отодвинув границу масштабирования DRAM.
Снова первая: у Samsung готова первая в отрасли память DRAM третьего поколения 10-нанометрового класса
На чтение 1 мин.
Вам также может понравиться
Любители польской игры на ура приняли продолжение увлекательной
01.5k.
В большинстве игр имеется сюжет, ибо без него геймплей
01.3k.
Как и ожидали геймеры, на смену The Talos Principe
01.2k.
Похоже, экранизация Uncharted попросту проклята: согласно
01.2k.
Сотрудники GOG решили не отставать от EGS и тоже устроили
01.4k.
Крупный билетный оператор Fandango расспросил пользователей
01.3k.