Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) считается наиболее подходящим кандидатом на роль универсальной памяти следующего поколения. Однако до недавнего времени эффективное управление MRAM было сложной задачей. Если верить сообщению тайваньского национального университета Цин Хуа (NTHU), междисциплинарной исследовательской группе во главе с профессором Чих-Хуан Лаем и профессором Сюу-Хау Лин удалось совершить «революционный прорыв».
Тайваньские ученые кардинально улучшили память MRAM
На чтение 1 мин.
Вам также может понравиться
Любители польской игры на ура приняли продолжение увлекательной
01.5k.
В большинстве игр имеется сюжет, ибо без него геймплей
01.3k.
Как и ожидали геймеры, на смену The Talos Principe
01.2k.
Похоже, экранизация Uncharted попросту проклята: согласно
01.2k.
Сотрудники GOG решили не отставать от EGS и тоже устроили
01.4k.
Крупный билетный оператор Fandango расспросил пользователей
01.3k.