Компания Everspin Technologies сообщила о дополнении соглашения с GlobalFoundries (GF), предусматривающего совместную разработку магниторезистивной памяти с переносом момента (Spin-Transfer Torque MRAM или STT-MRAM). Компании Everspin и GF выступали партнерами по разработке и производству STT-MRAM по нормам 40 нм, 28 нм и 22 нм. Дополнение к соглашению продлевает его на этап 12 нм.
Сейчас GF занимается производством дискретных решений STT-MRAM с использованием 40-нанометрового и 28-нанометрового техпроцессов, включая микросхемы плотностью 1 Гбит с интерфейсом DDR4.
