Новая разработка Samsung позволит создавать 24-гигабайтные микросхемы HBM2

Компания Samsung Electronics сегодня сообщила о том, что первой в отрасли разработала 12-слойную технологию 3D-TSV. Речь о технологии упаковки микросхем памяти, которая позволяет разместить в одном стеке 12 микросхем DRAM.

Новая разработка Samsung позволит создавать 24-гигабайтные микросхемы HBM2
Оцените статью