Гаджеты

Samsung уже проводит исследования, необходимые для создания памяти NAND с числом слоев более 500


Samsung планирует в 2020 году начать серийный выпуск и поставки кристаллов 128-слойной флеш-памяти TLC NAND плотностью 256 и 512 Гбит, в которых найдет применение технология V-NAND шестого поколения. Эти кристаллы будут поддерживать скорость передачи данных до 1200 Мбит/с.

Samsung уже проводит исследования, необходимые для создания памяти NAND с числом слоев более 500



СМОТРИ ТАКЖЕ