Компания Samsung Electronics воспользовалась конференцией Nvidia GTC 2019, чтобы объявить о выпуске новой памяти с высокой пропускной способностью (High Bandwidth Memory) — HBM2E. Как утверждается, эта память обеспечит «высочайшие уровни производительности DRAM». Она предназначена для суперкомпьютеров следующего поколения, центров обработки данных, графических систем и приложений искусственного интеллекта.
