У SK Hynix готова память HBM2E с пропускной способностью 460 ГБ/с

Компания SK Hynix объявила о разработке памяти DRAM HBM2E с самой высокой в ​​отрасли пропускной способностью. По сравнению с памятью HBM2 пропускная способность увеличена на 50% — до 460 ГБ/с — поскольку скорость в расчете на одну линию данных достигает 3,6 Гбит/с, а всего линий 1024.

В стеке TSV может быть до восьми кристаллов плотностью 16 Гбит, так что максимальный объем памяти увеличен вдвое — с 8 до 16 ГБ.

У SK Hynix готова память HBM2E с пропускной способностью 460 ГБ/с

Оцените статью