- Цена: 74.35$ + % посредника и доставка (-скидка по купону)
Всем привет. Сегодня на обзоре популярный, быстрый и надёжный накопитель от Samsung, с разумной стоимостью.
Данный накопитель имеет интерфейс NVMe, и по цене ощутимо дороже своих китайских собратьев вроде KingSpec и других, но в линейке Samsung это пожалуй наиболее выгодный накопитель по соотношению цена/производительность, отсюда и популярность.
Естественно, он быстрее накопителей от KingSpec, Netac, XrayDisk и других китайцев, а так же ряда накопителей продающихся в оффлайне.
Данный накопитель, подкупает достаточно большим ресурсом для TLC памяти (Samsung называет её V-NAND 3-bit MLC), и в целом надёжностью Flash памяти производства Samsung (для 500ГБ модели заявлен объём записи в 300ТБ, т.е. перезапись всего объёма SSD 600 раз), и гарантией в 5 лет.
Накопитель на 500ГБ был куплен на таобао, по цене около 75 долларов -10$ по купону, не считая комиссии посредника и стоимости доставки (их сложно точно подсчитать по одному товару, так как посылка была сборная, из множества позиций).
На тот момент, я платил через Qiwi, по весьма выгодному курсу обмена, и цена выходила в целом такой же, как при заказе с Aliexpress, но для новых клиентов у посредника был ещё и купон от определённой суммы, который был успешно применён и SSD получившийся со скидкой порядка 10$, закинут в корзину вместе с рядом других товаров (в догонку), которые уже чисто более удобней брать непосредственно на тао, и в итоге ssd вышел немного, но выгоднее чем на Али.
Скрин покупки:
На момент покупке, в оффлайне на такие накопители были очень дикие цены, и в наличии их было очень мало, видимо были сбои с логистикой.
Сейчас, такой накопитель можно купить на озоне, чуть больше чем за 5000р ( но продаж не много), а в ряде более известных компьютерных магазинов, цена на 500ГБ модель колеблется от 9000р до 20000р(!). Интересно мне посмотреть на того кто купит этот накопитель за 20000р вместо 5500р.
Более менее надёжные и производительные аналоги из бюджетного сегмента, того же объёма, вроде Patriot P300, стоят немногим дешевле, около 4000р.
Спецификации накопителя, относительно 500ГБ модели, можно увидеть на официальном сайте Samsung: ссылка
Заявлены максимальные скорости чтения и записи 3500/3200МБ/c соответственно, что в целом практически является потолком интерфейса с которым работает SSD (PCIe Gen 3.0 x 4), но естественно скорость на запись будет таковой до тех пор пока не исчерпается SLC кэш, объём которого судя по всему менее 32ГБ. Кстати, юзеру, после форматирования в NTFS, доступно всего 466ГБ пространства.
Память у нас Samsung V-NAND 3-bit MLC, тобишь TLC, но с тюнингом от Samsung, которую они гордо называют 3-bit MLC, хотя MLC по определению двух битовая. Микросхем Flash памяти в 500ГБ модели две.
Есть так же и микросхема кэша на 512МБ, так же производства Samsung (DDR4 SDRAM)
Контроллер у нас фирменный, Samsung Phoenix, поддерживающий все необходимые SSD функции (GC, TRIM, sleep), а так же аппаратное шифрование данных по алгоритму AES 256.
Средняя потребляемая мощность: 5.8 Вт, а максимальная аж 9Вт, из-за чего SSD очень горячий, и даже при не долгой нагрузке по температуре улетает за 60 градусов.
Всё этого благодаря тому, что у SSD нет нормального охлаждения, в частности радиатора, который ему в целом необходим (не спасает даже металлизированая наклейка на обороте SSD), об этом далее.
По 4к заявлены следующие данные:
Накопитель имеет формфактор M.2 (2280) и вес 8 грамм (размер 80.15 x 22.15 x 2.38 мм).
Сам накопитель выглядит так:
Кстати пришёл он в фирменной коробке, новёхенький, со всеми бумажками внутри, в общем как положено, и в точно таком же виде как из крупного местного магазина.
Единственное, нужно заморочиться и узнать не откажет ли Samsung в гарантии, если SSD по серийнику был выпущен для продажи в Китае (если у них есть продажи строго под гео, у того же intel. насколько я помню, были такие приколюхи с гарантией)
И он же в переходнике
Тесты
В моём случае, накопитель подключен к плате через переходник, где разведены 4 линии PCI-E, в физический разъём X16, где где скорее всего физически разведено 8 линий, и есть переключатель (свитч), так как разъёмов X16 на плате два.
Накопитель трудится на полную, в режиме X4 Gen3, это видно из данных Cristal Disk Info.
Здесь же мы видим весьма высокую температуру в простое, при температуре в комнате около 26 градусов.
Во время не продолжительных тестов, ведь даже весь SSD целиком заполняется чуть более чем за 500 секунд из-за высокой скорости записи, я фиксировал максимальную температуру в 68 градусов.
Даже при запуске гигового теста в Cristal Disk Mark, температура тут же уйдёт в 60+ градусов, даже если вы только включили ПК и к SSD не было вообще ещё обращений.
Именно он, скорее всего, негативно влияет на скорость при работе с мелкими блоками, внося ощутимые задержки, и благодаря им происходит потеря скорости в тесте Cristal Disk Mark, при чтении 4к блоков, в один поток без очереди.
Как я не старался, достигнуть заветных цифр на своём железе не смог, о чём Samsung кстати предупреждает чтобы не было претензий.
Вот скрины с разным объёмом данных теста.
39МБ/c это максимум что удалось выжать по 4К в один поток, при заявленном максимуме в 74МБ/c (19000iops*4k/1024)
И вот для сравнения скорость SSD когда он уже забит на 50%, при тех же 16ГБ (программа не обновляет данные по свободному объёму в реальном времени):
Скорость такая же, разница на уровне погрешности.
При 32ГБ уже ощущается нехватка SLC кэша на запись, скорость проседает.
Если писать просто без перерыва 250+ГБ, то скорость запись стабильна держится в районе 800ГБ, и лишь изредка немного скачет.
Вообще, в ходе тестов я исписал 2.5ТБ данных, и никаких просадок я не заметил.
С линейной скоростью всё более чем в норме, и к заветным 3.5ГБ/с мы приблизились.
Если SSD забит почти до упора, то скорость так же сильно не падает
Если освободить 36ГБ на SSD, подождать 10 минут пока выполнится TRIM, и начать писать 33ГБ, то скорость весьма стабильна, сильных просадок нет.
Если сравним с более слабым, буферным SSD Patriot P300 на 256ГБ (как пример), на котором свободно даже 40ГБ, и при записи того же файла скорость записи на десятки секунд сползает в 11МБ/с.
Но в Cristal Disk Mark, забитый SSD от Patriot так выглядит не плохо, так как Samsung не может до конца раскрыться по 4к блокам.
Для теста возможностей ПК, воспользуемся помощью накопителя Intel Optane M10 на 16ГБ, который по 4К чтению, даже в один поток без очереди, может дать гораздо большие скорости, но согласно спецификаций, где видимо приведены максимально возможные (а не однопоток), аж 190000 IOPS.
Накопитель установлен в тот же слот, и находится в том же переходнике что и SSD Samsung 970 evo plus.
У меня получилось так:
В последнем, левом столбце теста, должны быть скорости как минимум в 2 раза больше чем получились у меня, что подтвержается например этим обзором на Optane: ссылка
От сюда, я делаю вывод, что задержки по PCI-E на мой МП (или конкретно в этом слоту) ощутимые, и отсюда режется скорость при работе с 4К блоками, не раскрывая SSD.
Поэтому, никогда не делайте поспешных выводов, в том что производитель накопителя вас обманул.
Полный тест доступен на видео:
Выводы
Плюсы:
Накопитель предоставляет стабильные, высокие скорости чтения и записи, при разном объёме свободного места, вплоть до практически полного его исчерпания, что обычно характерно для дорогих, серверных SSD.
Накопитель обеспечивает устойчивую скорость записи в районе 800МБ/с, при записи очень больших файлов, после исчерпания SLC буфера, что является очень достойным результатом.
Минусы накопителя: значительный жор энергии (ест примерно так же, как более сложный процессор для ноутов начального уровня Intel N5100) и плохенькое охлаждение, и как следствие перегрев, но без троттлинга (вроде бы).
Если на накопитель часто будут оказываться значительные и долговременные нагрузки, то лучше не испытывать судьбу и поставить принудительный обдув (направить куллер, если возможно) или попытаться прикрепить радиатор, через наклейку которою нельзя сдирать, чтобы не слететь с гарантии.
Но далеко не факт, что радиатор, при таком раскладе и отдаваемой мощности, чем то сможет ощутимо помочь в плане снижения температур.
